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元件参数资料
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参数目录37561
> NCP5359ADR2G IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
型号:
NCP5359ADR2G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
NCP5359ADR2G PDF
标准包装
2,500
系列
-
配置
高端和低端,同步
输入类型
PWM
延迟时间
10ns
电流 - 峰
-
配置数
1
输出数
2
高端电压 - 最大(自引导启动)
30V
电源电压
10 V ~ 13.2 V
工作温度
0°C ~ 85°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
NCP5359ADR2G-ND
NCP5359ADR2GOSTR
查看NCP5359ADR2G代理商
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